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HOT ! 【直営店買付】 トランセンドジャパン 法人(ビジネス)向け 業務用/産業用マイクロSDカード 32GB Samsung製 2D(2bit) MLC

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【直営店買付】 トランセンドジャパン 法人(ビジネス)向け 業務用/産業用マイクロSDカード 32GB Samsung製 2D(2bit) MLC の詳細情報

商品詳細
■Amazon.co.jp以外で購入された商品につきましては日本国内保証対象外となります 最大読出し/書込み速度 = 読出し: 95MB/s, 書込み: 50MB/s 動作電圧 2.7V ~ 3.6V 消費電力(最大) 2.88W 動作環境温度 -25℃ ~ 85℃ 保管温度 -40℃ ~ 85℃ 湿度 0%~95% 耐振動(動作時) 2G (最大振幅), 10Hz ~ 2,000Hz (周波数) 製品仕様フォームファクタ = マイクロSDカード サイズ = 15mm x 11mm x 1mm 搭載NANDフラッシュ = 2D(2bit) MLC NANDフラッシュ 容量 2GB/4GB/8GB/16GB/32GB メモリ製品を使用する組込機器は多岐に渡り、使用条件や環境も様々であるため、トランセンドは全ての機器との互換性や安定動作を保証することができません。特定の仕様に関して不明なことがあれば事前に弊社ホームページにてご確認ください TBW値: 2GB= 5TB, 4GB= 10TB, 8GB= 21TB, 16GB= 43TB, 32GB= 86TB
■Amazon.co.jp以外で購入された商品につきましては日本国内保証対象外となります 最大読出し/書込み速度 = 読出し: 95MB/s, 書込み: 50MB/s 動作電圧 2.7V ~ 3.6V 消費電力(最大) 2.88W 動作環境温度 -25℃ ~ 85℃ 保管温度 -40℃ ~ 85℃ 湿度 0%~95% 耐振動(動作時) 2G (最大振幅), 10Hz ~ 2,000Hz (周波数) 製品仕様フォームファクタ = マイクロSDカード サイズ = 15mm x 11mm x 1mm 搭載NANDフラッシュ = 2D(2bit) MLC NANDフラッシュ 容量 2GB/4GB/8GB/16GB/32GB メモリ製品を使用する組込機器は多岐に渡り、使用条件や環境も様々であるため、トランセンドは全ての機器との互換性や安定動作を保証することができません。特定の仕様に関して不明なことがあれば事前に弊社ホームページにてご確認ください TBW値: 2GB= 5TB, 4GB= 10TB, 8GB= 21TB, 16GB= 43TB, 32GB= 86TB

■製品概要 デジタルサイネージやドライブレコーダー、Raspberry Pi、Tinker board、各種IPC・産業用PC等 高信頼性が求められる業務用途で世界中で支持されている、産業用マイクロSDです。 細かい技術問い合わせや、使用環境のご相談等がある場合、法人様であれば弊社公式サイトでお問合せ対応可能です ■製品特徴 トランセンドの業務用/産業用の2D MLC マイクロSDカード SD 5.1仕様に準拠。(2GBはSD 3.0仕様準拠) SDスピードクラス: UHS-I U1/A1/V10(2GB除く) TBW: 2GB= 5TB, 4GB= 10TB, 8GB= 21TB, 16GB= 43TB, 32GB= 86TB データ転送の信頼性を高めるECC機能とウェアレベリング機能搭載 Early Move機能搭載 Read Retry機能搭載 瞬断・瞬停・電断によるデータの不整合を低減する機能 UHS-I規格に対応(2GB除く) ビデオスピードクラス1(V10)に対応(2GB除く) アプリケーションパフォーマンスクラス1(A1)に対応(2GB除く) 動作温度:-25℃~85℃ 保存温度:-40℃~85℃ RoHS2.0指令対応製品 静電気放電耐性(IEC 61000-4-2) IPX7 IEC 60529 Edition 2.2 二年保証 ■製品スペック ■Capacity/User-Bytes 2GB: 2,007,629,824 4GB: 3,923,771,392 8GB: 7,808,745,472 16GB: 15,453,913,088 32GB: 30,912,020,480 Usable Bytes: Total free space which could be used by user. (Actual usage space will vary according to different usage environments.) ■Data Transfer Specification ・2GB SD Specification: SD3.0 SD Type: SDSC Interface: High Speed Speed Clase(1): N/A Application Performance Class(2): N/A ・4GB SD Specification: SD5.1 SD Type: SDHC Interface: UHS-I SDR104 Speed Clase(1): V10 / U1 Application Performance Class(2): A1 ・8GB SD Specification: SD5.1 SD Type: SDHC Interface: UHS-I SDR104 Speed Clase(*1): V10 / U1 Application Performance Class(*2): A1 ・16GB SD Specification: SD5.1 SD Type: SDHC Interface: UHS-I SDR104 Speed Clase(*1): V10 / U1 Application Performance Class(*2): A1 ・32GB SD Specification: SD5.1 SD Type: SDHC Interface: UHS-I SDR104 Speed Clase(*1): V10 / U1 Application Performance Class(*2): A1 *1) All parameters are determined by Testmetrix VTE4100. Only shows the fastest transferring bus mode. *2) For A1 performance, the customers should make sure the platform can support A1 speed command. ■Sequential Read / Write Performance 2GB:Sequential Read = 24MB/s 2GB:Sequential Write = 8MB/s 4GB:Sequential Read = 95MB/s 4GB:Sequential Write = 12MB/s 8GB:Sequential Read = 95MB/s 8GB:Sequential Write = 20MB/s 16GB:Sequential Read = 95MB/s 16GB:Sequential Write = 30MB/s 32GB:Sequential Read = 95MB/s 32GB:Sequential Write = 50MB/s ■Random Read / Write Performance 2GB:Random Read IOPS (4KB QD32) = 1800 2GB:Random Write IOPS (4KB QD32) = 400 4GB:Rando Read IOPS (4KB QD32) = 3500 4GB:Rando Write IOPS (4KB QD32) = 700 8GB:Rando Read IOPS (4KB QD32) = 3800 8GB:Rando Write IOPS (4KB QD32) = 800 16GB:Rando Read IOPS (4KB QD32) = 3500 16GB:Rando Write IOPS (4KB QD32) = 900 32GB:Rando Read IOPS (4KB QD32) = 3500 32GB:Rando Write IOPS (4KB QD32) = 1200 ■Power Consumption ・Default Mode (25MHz) Active Write (Max.) = 0.36W (*3) Active Read (Max.) = 0.36W (*3) Idel = 1.8mW ・High Speed Mode (50MHz) Active Write (Max.) = 0.72W (*3) Active Read (Max.) = 0.72W (*3) Idel = 1.8mW ・UHS-I SDR50 Mode (100MHz) Active Write (Max.) = 1.44W (*3) Active Read (Max.) = 1.44W (*3) Idel = 1.8mW ・UHS-I DDR50 Mode (50MHz) Active Write (Max.) = 1.44W (*3) Active Read (Max.) = 1.44W (*3) Idel = 1.8mW ・UHS-I SDR104 Mode (208MHz) Active Write (Max.) = 2.88W (*3) Active Read (Max.) = 2.88W (*3) Idel = 1.8mW *3) Power consumption is referred to Section 6.6.3 of the SDA Physical Layer Specification, Version 5.1. ■MTBF Specification. MTBF = >3,000,000 hours. ■製品のサポートに関して <1>個人のお客様に関して 本製品は製品の特性上、法人様向け製品となります。 個人のお客様につきましてのサポートは 不具合時の良品交換のみとさせていただきます。 不具合発生時はAMAZONまでご連絡ください。 個人のお客様への技術質問対応はできかねますので 仕様等につきましては弊社ウェブサイトにてご確認ください。 サポートダイヤルでの電話対応につきましても対応できかねますのでご注意ください。 <2>法人のお客様に関して 技術的なご質問につきましては「御名前」「御社名」「メールアドレス」」「ご使用環境」等 必要事項をお書き添えの上、下記ページからご連絡ください。 サポートダイヤルでの電話対応につきましては対応できかねますのでご注意ください。 ●商品への技術的お問い合わせ ttps://jp.transcend-info.com/Embedded/Supports/Contact_Form_Sales.aspx ■故障&不具合品につきましては返金は行えません。 別良品との交換をさせていただきます。


メーカーによる説明
TS2GSDC220I
TS2GSDC
TS2GUSD410M
TS2GSUSDC
TS2GUSD
‎TS128GUSD350V-E
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カスタマーレビュー
5つ星のうち3.6 159
5つ星のうち4.2 7,228
5つ星のうち3.5 10
5つ星のうち4.5 517
5つ星のうち4.2 1,810
5つ星のうち4.2 32,188
価格 ¥6,388¥6,388 ¥1,420¥1,420 — no data — no data ¥1,480¥1,480 ¥2,680¥2,680 製品カテゴリー 法人向け産業用 法人向け産業用 法人向け産業用 個人ユーザー向け 個人ユーザー向け 個人ユーザー向け no data no data no data no data no data no data 推奨機器 業務用機器、産業機器、組み込み等 業務用機器、産業機器、組み込み等 業務用機器、産業機器、組み込み等 デジカメ、ゲーム機 等 デジカメ、ゲーム機 等 ドライブレコーダー no data no data no data no data no data no data TBW(寿命) 166TB 1,690TB 5TB ロットによって異なり固定不可 ロットによって異なり固定不可 ロットによって異なり固定不可 搭載NANDフラッシュ 3D TLC 3D TLC(疑似SLC) 2Ⅾ MLC NAND ロットによって異なり固定不可 ロットによって異なり固定不可 ロットによって異なり固定不可 搭載コントローラー SMI社製 SMI社製 SMI社製 ロットによって異なり固定不可 ロットによって異なり固定不可 ロットによって異なり固定不可 法人顧客向けサポート対応(別途個別契約必要) no data no data no data no data no data no data 国内技術サポート 対応可能 対応可能 対応可能 不可 不可 不可 環境・輸出等 各種資料 対応可能 対応可能 対応可能 不可 不可 不可
高信頼性を保つため、トランセンドの産業用製品に搭載されている各種機能をご紹介

リードディスターブ対策

■リードディスターブ概要NANDフラッシュ製品はセルの微細化が進むにつれて、リードディスターブが信頼性問題の原因の1つとして挙げられるようになりました。

リードディスターブは同じブロックにあるページに対してリードが繰り返し行われることで、リード対象セルの近隣セルのデジタル値が変化してしまう現象で、その結果、その近隣セルのデータが正しく読み出せなくなります。

■トランセンドの対策

リードディスターブは過剰なリードを避けることで発生を抑制できます。

リードディスターブは過剰なリードを避けることで発生を抑制できます。トランセンドは3つの対策を提供しています。

アーリー・ムーブ: 潜在的なデータエラーを検出して訂正します。ブロックのエラービットが上限に近付くと、そのブロックのデータを別のブロックに移動し、元のブロックに残っているデータを消去します。(注記: 製品によってはこの機能はありません。)リード・リトライ: フラッシュメモリの機能でリード・リファレンス電圧を調整することでリードエラーを低減します。ウェア・レベリング: プログラム処理におけるNANDフラッシュのセルの使用頻度を平均化します。その際に電荷の再注入が行われるため、適度に書き込みを行うアプリケーションにおいてはリードディスターブの低減が期待できます。

ガベージコレクション

■ガベージコレクションの仕組み

NAND応用製品の場合、コントローラがNANDフラッシュの空き容量にデータを書き込んで行きます。HDDと異なり、NANDフラッシュへの上書きを直接行うことができないため、最初に消去処理をする必要があります。

先に、有効なデータを他のBlock に移してから、対象のBlockを消去します。これにより次回書き込みを行う際の処理効率が低下することを抑制しています。

■ガベージコレクションの歴史

初期のSSDは、空きスペースのないブロックを検出すると直ちにガベージコレクションが働いていたため、パフォーマンスが低下する問題がありましたが、最近のSSDに使用されているコントローラは通常、ガベージコレクションがバックグラウンドで働くようにタイミングが調整されています。

ウェアレベリング

■概要

ウェアレベリングはデータが全てのブロックに対して均等に書き込まれるようにするもので、ほとんどのフラッシュ製品で現在利用されています。特定のブロックのみが劣化したことによる機器の故障やデータの消失を防ぎ、フラッシュ製品の信頼性や安定性を高めています。

■ウェアレベリングの仕組み

ウェアレベリングはコントローラが各ブロックの消去カウントを管理し、値の低いブロックにデータを書き込むようにしています。ウェアレベリングを持たない機器と持つ機器を比較すると、持たない機器では一部のブロックに処理が集中してしまい製品寿命を縮めています。ウェアレベリングを搭載させることで書き込みを分散させて特定のブロックのみが劣化するのを防ぎ、製品寿命を延ばしています。

■まとめ

一般的にウェアレベリングは消去カウントの小さいブロックに書き込みが行われるように動作します。書き込みを分散させることで製品寿命を延ばすことができるので、フラッシュ製品には不可欠な機能となっており、トランセンドのフラッシュ製品にも耐久性と信頼性を高めるために搭載させています。

バッドブロック管理

■バッドブロック管理とは

バッドブロック管理はデータの保存に適さないブロック(バッドブロック)を検出してマークし、確保されている余分な容量をそのブロックと置き換えることでデータがバッドブロックに書き込まれるのを防ぎ、製品の信頼性を高めています。

■バッドブロックの種類

NANDフラッシュのバッドブロックには初期バッドブロックと後発バッドブロックの2種類があります。初期バッドブロックは製造工程で容量の1%程度の割合で発生する不可避なものです。後発バッドブロックはフラッシュメモリ通常動作時に書き込みと消去を繰り返すことで発生します。後発バッドブロックを置き換えるための領域として製品容量の約7%*が確保されています。 *製品によって確保されている容量は異なります。

■バッドブロック管理の仕組み

NANDフラッシュ機器が最初に使用される際にバッドブロック・テーブルが作られ、管理プログラムが全てのブロックをチェックします。この際に検出されるバッドブロックを管理プログラムは初期バッドブロックとしてマークし、データの書き込みに使用されないようバッドブロック・テーブルに記録します。後発バッドブロックの場合、コントローラがバッドブロックを検出すると、バッドブロック・テーブルに登録され、保存されていたデータは別の正常なブロックに移されます。

コントローラのECC機能でエラー訂正ができないブロックが見つかった場合、そのブロックに保存されているデータを別の正常なブロックに移動します。データ移動後に元のブロックはバッドブロックとしてバッドブロック・テーブルに記録され、データ書き込みに使用されないようにします。

■まとめ

ブロックは書き込み/消去を繰り返すことで徐々に劣化するため、使用できないブロックがないかチェックし、ブロックの置き換えをすることが必要となります。バッドブロック管理を備えた最新のフラッシュ機器は長い製品寿命、高い信頼性、リード/ライトエラーの低減が提供できるのでフラッシュ製品に不可欠な機能です。

トランセンドの産業用製品が世界中で支持されている理由

高品質 2D MLC NANDチップ採用

「2D MLC NAND」を用いている為

データ消去可能回数(P/Eサイクル)は3,000回と多く、高寿命です。

トランセンドの産業用・業務用SDカードは、高品質をご提供します

■TBW [総書込可能容量]

32GB : 86TB

16GB : 43TB

8GB : 21TB

4GB : 10TB

2GB : 5TB

世界規模の調達&供給能力

ワールドワイドのお客様に販売する調達量をもって、DRAM/NANDベンダーとの強固な関係を築いている為、トランセンドは部品の安定供給を受ける事ができています。

その地盤を元に、産業機器メーカー向けの長期供給や、固定BOM・固定FWといったサポートを世界中で行っています。

(注:固定FW等は別途個別契約が必要となります)

安定性を重視した産業用製品

高い安定性を求められる産業用製品は、個人ユーザー向け製品とは異なり、産業機器向けの専用設計を行っているはもちろんの事、より強化された製造工程・テスト工程を通って製品化されています。

信頼性を向上させる産業用製品

産業用製品にはNAND/DRAMに限らず、厳選したコンポーネント部品を使用すると共に、各部品ベンダーへの定期的な監査を行い、品質の維持に努めています。また製品構造の強化、幅広い温度対応等、信頼性を高める専用設計を行っています。

信頼のブランド トランセンド

トランセンドとは

トランセンド インフォメーション(台湾台北)は1988年にPeter Shuによって創設され、現在までに世界14拠点でデジタルストレージやマルチメディア製品に加え、工業用機器や組込みシステム向けの製品を製造・販売するブランドへと成長しました。品質に重点を置くべく生産はすべて台湾台北の自社工場生産にてコントロールしており、顧客の視点に立った満足度の高いサービスを心掛け続けながら、市場のニーズに合わせた製品をタイムリーに提供していきたいと考えています。

台北自社工場

トランセンドの自社工場は、台湾台北の本社からほど近い場所にあります。下請けの工場や、台湾国外の外注工場を使用しない事で、高品質コントロールを可能にしています。日本企業を始めとした多くの世界的製造メーカーの工場監査も受け、常に世界トップレベルの工場であり続けています。

信頼性の高い産業用製品

産業用SSDや産業用メモリモジュールといった、トランセンドの高品質な産業用メモリ製品は、世界中の製造メーカーやシステムエンジニアから支持されています。

台湾でのブランド価値

16年連続で「Interbrand」 BEST TAIWAN GLOBAL BRANDSに入り、台湾のメモリメーカーでベスト25入りとなりました。これを受けてのブランド価値は1億USドルとなりました。

Size Name2GB / 4GB / 8GB / 16GB / 32GB
Style Name現行品 / 終息品/旧モデル
ブランドトランセンドジャパン
メーカートランセンドジャパン
梱包サイズ16 x 8 x 1.5 cm; 10 g
商品モデル番号TS32GUSD410M
カラー
商品の重量10 g
カテゴリパソコン・周辺機器 >> PCアクセサリ・サプライ >> メモリーカード
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